Heavy-Ion-Induced Defects in Degraded SiC Power MOSFETs
Julkaisuvuosi
2023
Tekijät
Martinella, Corinna; Bathen, Marianne; Javanainen, Arto; Grossner, Ulrike
Tiivistelmä
Cathodoluminescence spectroscopy is used to investigate the formation of point- and extended defects in SiC power MOSFETs exposed to heavy-ions. Devices showing single event leakage current (SELC) effects are analysed and compared to pristine samples. Common luminescence peaks of defect centers localized in the thermal-SiO2 are identified, together with peaks at the characteristic wavelength of extended defects.
Näytä enemmänOrganisaatiot ja tekijät
Jyväskylän yliopisto
Javanainen Arto 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Kustantaja
Volyymi
1090
Sivut
179-184
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Osittain avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Sveitsi
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.4028/p-3y3lv4
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä