undefined

Heavy-Ion-Induced Defects in Degraded SiC Power MOSFETs

Julkaisuvuosi

2023

Tekijät

Martinella, Corinna; Bathen, Marianne; Javanainen, Arto; Grossner, Ulrike

Tiivistelmä

Cathodoluminescence spectroscopy is used to investigate the formation of point- and extended defects in SiC power MOSFETs exposed to heavy-ions. Devices showing single event leakage current (SELC) effects are analysed and compared to pristine samples. Common luminescence peaks of defect centers localized in the thermal-SiO2 are identified, together with peaks at the characteristic wavelength of extended defects.
Näytä enemmän

Organisaatiot ja tekijät

Jyväskylän yliopisto

Javanainen Arto Orcid -palvelun logo

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Volyymi

1090

Sivut

179-184

Julkaisu­foorumi

62997

Julkaisufoorumitaso

1

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Kyllä

Julkaisukanavan avoin saatavuus

Osittain avoin julkaisukanava

Rinnakkaistallennettu

Kyllä

Muut tiedot

Tieteenalat

Fysiikka; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka

Avainsanat

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Julkaisumaa

Sveitsi

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Kyllä

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.4028/p-3y3lv4

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä