Heavy-Ion-Induced Defects in Degraded SiC Power MOSFETs
Julkaisuvuosi
2023
Tekijät
Martinella, Corinna; Bathen, Marianne; Javanainen, Arto; Grossner, Ulrike
Tiivistelmä
Cathodoluminescence spectroscopy is used to investigate the formation of point- and extended defects in SiC power MOSFETs exposed to heavy-ions. Devices showing single event leakage current (SELC) effects are analysed and compared to pristine samples. Common luminescence peaks of defect centers localized in the thermal-SiO2 are identified, together with peaks at the characteristic wavelength of extended defects.
Näytä enemmänOrganisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Kustantaja
Volyymi
1090
Sivut
179-184
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Osittain avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Sveitsi
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.4028/p-3y3lv4
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä