Halogen-bonded halogen(I) ion complexes
Julkaisuvuosi
2023
Tekijät
Ward, Jas S.; Truong, Khai-Nghi; Erdélyi, Mate; Rissanen, Kari
Tiivistelmä
Halogen bonding occurs between a positive region of a polarized halogen (X), most commonly with an iodine or bromine atom. The polarization, caused by an electron withdrawing group (R), induces electron deficiency onto the halogen atom, creating an electropositive region known as a σ-hole. This σ-hole then interacts with electron-rich nucleophiles (such as Lewis bases, B) forming a linear R–X···B halogen bond. When an electron is completely removed from a halogen, a halogen (I) ion (X+) is formed. A halogen(I) ion itself is highly reactive, but can be ‘trapped’ in between two Lewis bases creating a [L–X–L]+ 3-center, 4-electron halogen bond between the halogen(I) ion and two donor atoms of the Lewis bases (typically nitrogen). Halogen(I) complexes form a special family manifesting a strong halogen bond, which demonstrate good stability in both the solution and solid-states. An overview of the current state of halogen bonding of halogen(I) ion complexes is included, as well as the many advancements made to those fields in recent years.
Näytä enemmänOrganisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Kokoomateos
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A3 Kirjan tai muun kokoomateoksen osaJulkaisukanavan tiedot
Emojulkaisun nimi
Kustantaja
Sivut
586-601
ISBN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Julkaisumaa
Alankomaat
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1016/B978-0-12-823144-9.00043-1
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä