Impact of Electrical Stress and Neutron Irradiation on Reliability of Silicon Carbide Power MOSFET
Julkaisuvuosi
2020
Tekijät
Niskanen, K.; Touboul, A. D.; Coq Germanicus, R.; Michez, A.; Javanainen, A.; Wrobel, F.; Boch, J.; Pouget, V.; Saigne, F.
Abstrakti:
The combined effects of electrical stress and neutron irradiation of the last generation of commercial discrete silicon carbide power MOSFETs are studied. The single-event burnout (SEB) sensitivity during neutron irradiation is analyzed for unstressed and electrically stressed devices. For surviving devices, a comprehensive study of the breakdown voltage degradation is performed by coupling the electrical stress and irradiation effects. In addition, mutual influences between electrical stress and radiative constraints are investigated through TCAD modeling.
Näytä enemmänOrganisaatiot ja tekijät
Jyväskylän yliopisto
Javanainen Arto 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Kustantaja
Volyymi
67
Numero
7
Sivut
1365-1373
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Yhdysvallat (USA)
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1109/TNS.2020.2983599
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä