Statistical Analysis of Heavy-Ion Induced Gate Rupture in Power MOSFETs—Methodology for Radiation Hardness Assurance
Julkaisuvuosi
2012
Tekijät
Ferlet-Cavrois, V.; Binois, C.; Carvalho, A.; Ikeda, N.; Inoue, M.; Eisener, B.; Gamerith, S.; Chaumont, G.; Pintacuda, F.; Javanainen, Arto; Schwank, J.R.; Shaneyfelt, M.R.; Lauenstein, J.-M.; Ladbury, R.L.; Muschitiello, M.; Poivey, C.; Mohammadzadeh, A.
Organisaatiot ja tekijät
Jyväskylän yliopisto
Javanainen Arto 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Kustantaja
Volyymi
59
Numero
6
Sivut
2920-2929
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka
Julkaisumaa
Yhdysvallat (USA)
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1109/TNS.2012.2223761
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä