Effect of ozone concentration on silicon surface passivation by atomic layer deposited Al2O3
Julkaisuvuosi
2015
Tekijät
von Gastrow, Guillaume; Li, Shuo; Putkonen, Matti; Laitinen, Mikko; Sajavaara, Timo; Savin, Hele
Organisaatiot ja tekijät
Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Putkonen Matti
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Kustantaja
Volyymi
357, Part B
Sivut
2402-2407
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Kemia; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka; Materiaalitekniikka
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1016/j.apsusc.2015.09.263
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä