Effects of Heavy Ion and Proton Irradiation on a SLC NAND Flash Memory
Julkaisuvuosi
2019
Tekijät
Luza, Lucas Matana; Bosser, Alexandre; Gupta, Viyas; Javanainen, Arto; Mohammadzadeh, Ali; Dilillo, Luigi
Abstrakti:
Space applications frequently use flash memories for mass storage data. However, the technology applied in the memory array and peripheral circuity are not inherently radiation tolerant. This work introduces the results of radiation test campaigns with heavy ions and protons on a SLC NAND Flash. Static tests showed different failures types. Single events upsets and raw error cross sections were presented, as well as an evaluation of the occurrences of the events. Characterization of effects on the embedded data registers was also performed.
Näytä enemmänOrganisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Bosser Alexandre
Jyväskylän yliopisto
Javanainen Arto 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Konferenssi
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussaJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Proceedings : IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems
Emojulkaisun nimi
Konferenssi
IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems
Kustantaja
Artikkelinumero
8875475
ISSN
ISBN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1109/DFT.2019.8875475
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä