undefined

< Takaisin hakutuloksiin

Alkylsilyl compounds as enablers of atomic layer deposition:analysis of (Et3Si)(3)As through the GaAs process

Julkaisuvuosi

2016

Tekijät

Sarnet, Tiina; Hatanpää, Timo; Laitinen, Mikko; Sajavaara, Timo; Mizohata, Kenichiro; Ritala, Mikko; Leskelä, Markku

Organisaatiot ja tekijät

Helsingin yliopisto

Mizohata Kenichiro

Leskelä Markku

Ritala Mikko

Sarnet Tiina

Hatanpää Timo

Jyväskylän yliopisto

Laitinen Mikko Orcid -palvelun logo

Sajavaara Timo Orcid -palvelun logo

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Lehti

Journal of materials chemistry c

Emojulkaisun nimi

Journal of Materials Chemistry C

Volyymi

4

Numero

3

Sivut

449-454

ISSN

2050-7526

Julkaisu­foorumi

75355

Julkaisufoorumitaso

1

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Ei

Rinnakkaistallennettu

Ei

Muut tiedot

Tieteenalat

Fysiikka; Kemia; Materiaalitekniikka

Avainsanat

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Julkaisumaa

Yhdistynyt kuningaskunta

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Ei

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1039/c5tc03079j

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä