Näytetään tulokset 1 - 10 / 74
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

An Integrated 2 GHz SiGe Power Amplifier

Vertaisarvioitu
Juurakko, P.; Saari, V.; Ryynänen, J.; Halonen, K.
-2002 Julkaisujen tiedon ikoni

A 0.75-3.6GHz SiGe direct-conversion quadraturemodulator

Vertaisarvioitu
Tiiliharju, Esa; Halonen, Kari
-2003 Julkaisujen tiedon ikoni

SiGe Power Amplifier with 2V Power Supply

Juurakko, P.; Saari, V.; Ryynänen, J.; Halonen, K.
-2001 Julkaisujen tiedon ikoni

250 GHz SiGe SPDT Resonator Switch

Vertaisarvioitu
Tawfik, Yehia; Raju, Ahamed; Varonen, Mikko; Najmussadat, Md; Halonen, Kari A.I.
15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 20202021 Julkaisujen tiedon ikoni

E center annealing in SiGe: stability and charge states

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.mseb.2008.08.006
Kuitunen, Katja; Kilpeläinen, Simo; Slotte, Jonatan; Tuomisto, Filip
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B2008 Julkaisujen tiedon ikoni

Feasibility of a cryogenic SiGe amplifier at 4 K

Vertaisarvioitu
DOI
10.1109/NORCHIP.2013.6702011
Åberg, Markku; Saijets, Jan
31st Norchip Conference2013 Julkaisujen tiedon ikoni

Up-conversion Mixers in a Complementary 0.4um SiGe Process

Vertaisarvioitu
Pellikka, H.; Tiiliharju, E.; Halonen, K.
-2005 Julkaisujen tiedon ikoni

Integrated SiGe Detectors for Si Photonic Sensor Platforms

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.3390/proceedings1040559
Pandraud, Grégory; Milosavljevic, Silvana; Sammak, Amir; Cherchi, Matteo; Jovic, Aleksandar; Sarro, ...
Proceedings2017 Julkaisujen tiedon ikoni

Millimeter-Wave Amplifier-Based Noise Sources in SiGe BiCMOS Technology

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1109/TMTT.2021.3104028
Forsten, Henrik; Saijets, Jan H.; Kantanen, Mikko; Varonen, Mikko; Kaynak, Mehmet; Piironen, Petri
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques2021 Julkaisujen tiedon ikoni

Implantation Defects and n-type Doping in Ge and Ge rich SiGe

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.tsf.2008.08.088
Peaker, A.R.; Markevich, V.P.; Hamilton, B.; Hawkins, I.D.; Slotte, J.; Kuitunen, K.; Tuomisto, F.; ...
Thin Solid Films2008

An Integrated 2 GHz SiGe Power Amplifier

Vertaisarvioitu
2002

A 0.75-3.6GHz SiGe direct-conversion quadraturemodulator

Vertaisarvioitu
2003

SiGe Power Amplifier with 2V Power Supply

2001

250 GHz SiGe SPDT Resonator Switch

Vertaisarvioitu
2021

E center annealing in SiGe: stability and charge states

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.mseb.2008.08.006
2008

Feasibility of a cryogenic SiGe amplifier at 4 K

Vertaisarvioitu
DOI
10.1109/NORCHIP.2013.6702011
2013

Up-conversion Mixers in a Complementary 0.4um SiGe Process

Vertaisarvioitu
2005

Integrated SiGe Detectors for Si Photonic Sensor Platforms

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.3390/proceedings1040559
2017

Millimeter-Wave Amplifier-Based Noise Sources in SiGe BiCMOS Technology

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1109/TMTT.2021.3104028
2021

Implantation Defects and n-type Doping in Ge and Ge rich SiGe

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.tsf.2008.08.088
2008