Näytetään tulokset 1 - 10 / 2835
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi

He implantation induced defects in InN

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/1742-6596/505/1/012012
Linez, Florence; Ritt, M; Rauch, C; Kilanski, L; Choi, S; Räisänen, Jyrki; Speck, J S; Tuomisto, Fil...
Journal of physics : Conference series2014

In-vacancies in Si-doped InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssa.200983120
Rauch, Christian; Reurings, Floris; Tuomisto, Filip; Veal, Tim; McConville, Chris F.; Lu, Hai; Schaf...
PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE2010

Arkkitehtitoimisto Tuomo Siitonen: Otaniemen tiedeasunnot / Aalto Inn, Espoo

Hasu, Eija; Tervo, Anne
Arkkitehti2013

Defect redistribution in post-irradiation rapid-thermal-annealed InN

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.82.153202
Reurings, Floris; Rauch, Christian; Tuomisto, Filip; Jones, Rebecca E.; Yu, Kin M.; Walukiewicz, Wla...
Physical Review B2010

Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssc.201300507
Prozheeva, V.; Tuomisto, F.; Koblmüller, G.; Speck, J.S.; Knübel, A.; Aidam, R.
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS2014

Defect evolution and interplay in n-type InN

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.3688038
Rauch, C.; Tuomisto, F.; Vilalta-Clemente, A.; Lacroix, B.; Ruterana, P.; Kraeusel, S.; Hourahine, B...
Applied Physics Letters2012

Towards Experimental Identification of Vacancy Complexes in InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssa.201001160
Rauch, Christian; Makkonen, Ilja; Tuomisto, Filip
Physica status solidi a: applications and materials science2011

Point defect evolution in low-temperature MOCVD growth of InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssa.201100083
Rauch, Christian; Tuna, Öcal; Giesen, C.; Heuken, M.; Tuomisto, F.
PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE2012

In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.3516467
Reurings, Floris; Tuomisto, Filip; Gallinat, Chad S.; Koblmüller, Gregor; Speck, James S.
Applied Physics Letters2010

Metal contacts on InN Proposal for Schottky contact

Vertaisarvioitu
DOI
10.1143/JJAP.45.36
Rangel-Kuoppa, V.T.; Suihkonen, S.; Sopanen, M.; Lipsanen, H.
Japanese Journal of Applied Physics2006

He implantation induced defects in InN

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/1742-6596/505/1/012012
2014

In-vacancies in Si-doped InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssa.200983120
2010

Arkkitehtitoimisto Tuomo Siitonen: Otaniemen tiedeasunnot / Aalto Inn, Espoo

2013

Defect redistribution in post-irradiation rapid-thermal-annealed InN

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1103/PhysRevB.82.153202
2010

Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssc.201300507
2014

Defect evolution and interplay in n-type InN

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.3688038
2012

Towards Experimental Identification of Vacancy Complexes in InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssa.201001160
2011

Point defect evolution in low-temperature MOCVD growth of InN

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssa.201100083
2012

In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.3516467
2010

Metal contacts on InN Proposal for Schottky contact

Vertaisarvioitu
DOI
10.1143/JJAP.45.36
2006