In-vacancies in Si-doped InN
Julkaisuvuosi
2010
Tekijät
Rauch, Christian; Reurings, Floris; Tuomisto, Filip; Veal, Tim; McConville, Chris F.; Lu, Hai; Schaff, William J.; Gallinat, Chad S.; Koblmüller, Gregor; Speck, James S; Egger, W.; Löwe, B.; Ravelli, L.; Sojak, S.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Kustantaja
Volyymi
207
Numero
5
Sivut
1083-1086
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Kone- ja valmistustekniikka; Ympäristötekniikka; Nanoteknologia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1002/pssa.200983120
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä