Impact of post-ion implantation annealing on Se-hyperdoped Ge
Julkaisuvuosi
2024
Tekijät
Liu, Xiaolong; Mc Kearney, Patrick; Schäfer, Sören; Radfar, Behrad; Berencen, Yonder; Kentsch, Ulrich; Vähänissi, Ville; Zhou, Shengqiang; Kontermann, Stefan; Savin, Hele
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Kustantaja
Volyymi
125
Numero
4
Artikkelinumero
042102
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
3
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Osittain avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Avoimen saatavuuden kirjoittajamaksu €
3273
Avoimen saatavuuden kirjoittajamaksun vuosi
2024
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1063/5.0213637
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä