undefined

Perspective on defect characterization in semiconductors by positron annihilation spectroscopy

Julkaisuvuosi

2024

Tekijät

Makkonen, Ilja; Tuomisto, Filip

Organisaatiot ja tekijät

Helsingin yliopisto

Tuomisto Filip

Makkonen Ilja

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli:

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Volyymi

135

Numero

4

Artikkelinumero

040901

Julkaisu­foorumi

59616

Julkaisufoorumitaso

1

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Kyllä

Julkaisukanavan avoin saatavuus

Osittain avoin julkaisukanava

Kustantajan version lisenssi

Muu lisenssi

Rinnakkaistallennettu

Kyllä

Rinnakkaistallenteen lisenssi

CC BY

Muut tiedot

Tieteenalat

Fysiikka; Materiaalitekniikka; Nanoteknologia

Julkaisumaa

Yhdysvallat (USA)

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Ei

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1063/5.0180024

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä