Boron-implanted black silicon photodiode with close-to-ideal responsivity from 200 to 1000 nm
Julkaisuvuosi
2023
Tekijät
Setälä, Olli; Chen, Kexun; Pasanen, Toni; Liu, Xiaolong; Radfar, Behrad; Vähänissi, Ville; Savin, Hele
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Radfar Behrad 
Savin Hele
Chen Kexun
Setälä Olli
Pasanen Toni
Vähänissi Ville
Liu Xiaolong
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Kustantaja
Volyymi
10
Numero
6
Sivut
1735-1741
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Osittain avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Nanoteknologia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1021/acsphotonics.2c01984
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä