Effect of InP passivation on carrier recombination in InGaAs/GaAs Surface Quantum Wells
Julkaisuvuosi
1998
Tekijät
Lipsanen, Harri; Sopanen, Markku; Ahopelto, Jouni; Sandman, J.; Feldman, J.
Organisaatiot ja tekijät
Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Ahopelto Jouni
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Konferenssi
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussaJulkaisukanavan tiedot
Emojulkaisun nimi
1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Konferenssi
10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 1998
Kustantaja
IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers
Sivut
549-551
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei tietoa
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object]
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1109/ICIPRM.1998.712601
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Ei