Increased surface recombination in crystalline silicon under light soaking due to Cu contamination

Increased surface recombination in crystalline silicon under light soaking due to Cu contamination

Julkaisuvuosi

2021

Tekijät

Rauha, Ismo TS; Soeriyadi, Anastasia H; Kim, Moonyong; Yli-Koski, Marko; Wright, Brendan; Vähänissi, Ville; Hallam, Brett J; Savin, Hele

Organisaatiot ja tekijät

Aalto-yliopisto

Savin Hele Orcid -palvelun logo

Rauha Ismo Orcid -palvelun logo

Yli-Koski Marko Orcid -palvelun logo

Vähänissi Ville Orcid -palvelun logo

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Kustantaja

Elsevier

Volyymi

232

Artikkelinumero

111360

Julkaisu­foorumi

67368

Julkaisufoorumitaso

2

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Kyllä

Julkaisukanavan avoin saatavuus

Osittain avoin julkaisukanava

Rinnakkaistallennettu

Kyllä

Muut tiedot

Tieteenalat

Materiaalitekniikka

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Kyllä

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1016/j.solmat.2021.111360

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä

Increased surface recombination in crystalline silicon under light soaking due to Cu contamination - Tiedejatutkimus.fi