Role of ALD Al2O3 Surface Passivation on the Performance of p-Type Cu2O Thin Film Transistors
Julkaisuvuosi
2021
Tekijät
Napari, Mari; Huq, Tahmida N.; Meeth, David J.; Heikkilä, Mikko J.; Niang, Kham M.; Wang, Han; Iivonen, Tomi; Wang, Haiyan; Leskelä, Markku; Ritala, Mikko; Flewitt, Andrew J.; Hoye, Robert L. Z.; MacManus-Driscoll, Judith L.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Emojulkaisun nimi
Volyymi
13
Numero
3
Sivut
4156-4164
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Osittain avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Kemia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Yhdysvallat (USA)
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1021/acsami.0c18915
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä