Amorphization of silicon by high dose germanium ion implantation with no external cooling mechanism
Julkaisuvuosi
1994
Tekijät
Xia, Z.; Saarilahti, Jaakko; Ristolainen, E.; Eränen, S.; Ronkainen, Hannu; Kuivalainen, Pekka; Paine, D.; Tuomi, T.
Organisaatiot ja tekijät
Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Ronkainen Hannu
Saarilahti Jaakko
Kuivalainen Pekka
Eränen S.
Xia Z.
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Volyymi
78
Numero
3
Sivut
321-330
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1016/0169-4332(94)90021-3
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Ei