Improved emitter performance of RIE black silicon through the application of in-situ oxidation during POCl3 diffusion
Julkaisuvuosi
2020
Tekijät
Fung, Tsun Hang; Pasanen, Toni; Zhang, Yu; Soeriyadi, Anastasia; Vähänissi, Ville; Scardera, Giuseppe; Payne, David; Savin, Hele; Abbott, Malcolm
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Kustantaja
Volyymi
210
Artikkelinumero
110480
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Materiaalitekniikka; Nanoteknologia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1016/j.solmat.2020.110480
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä