Effect of InP passivation on carrier recombination in In<sub>x</sub>Ga<sub>l-x</sub>As/GaAs surface quantum wells
Julkaisuvuosi
1999
Tekijät
Lipsanen, Harri; Sopanen, Markku; Ahopelto, Jouni; Sandmann, J.; Feldmann, J.
Organisaatiot ja tekijät
Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Ahopelto Jouni
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Volyymi
38
Sivut
1133-1134
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object]
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1143/JJAP.38.1133
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Ei