Growth of GaAs on polycrystalline silicon-on-insulator

Growth of GaAs on polycrystalline silicon-on-insulator

Julkaisuvuosi

2003

Tekijät

Riikonen, J.; Säynätjoki, A.; Sopanen, M.; Lipsanen, H.; Ahopelto, Jouni

Organisaatiot ja tekijät

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Volyymi

14

Numero

5-7

Sivut

403-405

Julkaisu­foorumi

60950

Julkaisufoorumitaso

1

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Ei

Rinnakkaistallennettu

Ei

Muut tiedot

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Ei

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1023/A:1023965121007

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Ei

Growth of GaAs on polycrystalline silicon-on-insulator - Tiedejatutkimus.fi