Thermal annealing effect on 1.3-µm GaInNAs/GaAs quantum well structures capped with dielectric films

Julkaisuvuosi

2004

Tekijät

Liu, H.F.; Peng, C.S.; Likonen, Jari; Konttinen, J.; Dhaka, V.D.S.; Tkachenko, N.; Pessa, M.

Organisaatiot ja tekijät

Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy

Likonen Jari

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli:

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Lehti/Sarja

IEE proceedings: Optoelectronics

Volyymi

151

Numero

Sivut

267 - 270

ISSN

1350-2433

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Rinnakkaistallennettu

Muut tiedot

Avainsanat

[object Object]

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

DOI

10.1049/ip-opt:20040941