Influence of nitride and oxide cap layers upon the annealing of 1.3 μm GaInNAs/GaAs quantum wells
Julkaisuvuosi
2004
Tekijät
Liu, H.F.; Peng, C.S.; Likonen, Jari; Jouhti, T.; Karirinne, S.; Konttinen, J.; Pessa, M.
Organisaatiot ja tekijät
Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Likonen Jari 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Volyymi
95
Numero
8
Sivut
4102 - 4104
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object]
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1063/1.1687988
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Ei