Divacancy in 3C- and 4H-SiC An extremely stable defect
Julkaisuvuosi
2002
Tekijät
Torpo, Leena; Staab, T.E.M.; Nieminen, Risto
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Nieminen Risto
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Physical Review B
Kustantaja
American Physical Society
Volyymi
65
Numero
8
Artikkelinumero
085202
Sivut
1-10
ISSN
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Kokonaan avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Kustantajan kansainvälisyys
Kotimainen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1103/PhysRevB.65.085202
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä