Effect of InP passivation on carrier recombination in In_(x)Ga_(1-x)As/GaAs surface quantum wells
Julkaisuvuosi
1998
Tekijät
Lipsanen, H.; Sopanen, M.; Ahopelto, J.; Sandmann, J.; Feldmann, J.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Konferenssi
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussaJulkaisukanavan tiedot
Emojulkaisun nimi
10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Konferenssi
Conference proceedings : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Kustantaja
Sivut
549-551
ISSN
ISBN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1109/ICIPRM.1998.712601
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä