Geometric linewidth and the impact of thermal processing on the stress regimes induced by electroless copper metallization for Si integrated circuit interconnect technology
Julkaisuvuosi
2004
Tekijät
McNally, P.J; Kanatharana, J.; Toh, B.H.W; McNeill, D.W; Danilewsky, A.N; Tuomi, T.; Knuuttila, L.; Riikonen, J.; Toivonen, Juha; Simon, R.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Journal of Applied Physics
Kustantaja
American Institute of Physics
Volyymi
96
Numero
12
Sivut
7596-7602
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä