Dependence of the Anisotropy of Wet Chemical Etching of Silicon on the Amount of Surface Coverage by OH Radicals

Julkaisuvuosi

2003

Tekijät

Gosálvez, Miguel A.; Foster, Adam S.; Nieminen, Risto M.

Organisaatiot ja tekijät

Aalto-yliopisto

Foster Adam

Nieminen Risto

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli:

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Lehti/Sarja

SENSORS AND MATERIALS

Kustantaja

M Y U Scientific Publishing Division

Volyymi

Numero

Sivut

53-65

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Rinnakkaistallennettu

Muut tiedot

Avainsanat

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä