Effect of growth polarity on vacancy defect and impurity incorporation in dislocation-free GaN
Julkaisuvuosi
2005
Tekijät
Tuomisto, Filip; Saarinen, Kimmo; Lucznik, B.; Grzegory, I.; Teisseyre, H.; Suski, T.; Porowski, S.; Hageman, P.R.; Likonen, J.
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Tuomisto Filip 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Kustantaja
Volyymi
86
Numero
3
Artikkelinumero
031915
Sivut
1-3
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Kokonaan avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1063/1.1854745
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä