undefined

GaAs surface passivation by plasma-enhanced atomic-layer-deposited aluminum nitride

Julkaisuvuosi

2010

Tekijät

Bosund, M.; Mattila, P.; Aierken, A.; Hakkarainen, T.; Koskenvaara, H.; Sopanen, M.; Airaksinen, V.M.

Organisaatiot ja tekijät

Aalto-yliopisto

Aierken Abuduwayiti

Koskenvaara Hannu

Sopanen Markku Orcid -palvelun logo

Mattila Päivi

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Kustantaja

Elsevier

Volyymi

256

Numero

24

Sivut

7434-7437

Julkaisu­foorumi

51536

Julkaisufoorumitaso

2

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Ei

Rinnakkaistallennettu

Ei

Muut tiedot

Tieteenalat

Fysiikka; Kemia; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka; Materiaalitekniikka; Nanoteknologia; Lääketieteen bioteknologia

Avainsanat

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Ei

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1016/j.apsusc.2010.05.085

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä