Total reflection X-ray topography for the observation of misfit dislocation strain at the surface of a Si/Ge-Si heterostructure
Julkaisuvuosi
2002
Tekijät
McNally, P.J.; Dilliway, G.; Bonar, J.M.; Willoughby, A.; Tuomi, T.; Rantamäki, R.; Danilewsky, A.N.; Lowney, D.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Journal of X-Ray Science and Technology
Kustantaja
IOS PRESS
Numero
9
Sivut
121-130
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä