Ab initio study of oxygen point defects in GaAs, and AIN
Julkaisuvuosi
1996
Tekijät
Mattila, T.; Nieminen, R.M.
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Nieminen Risto
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Physical Review B
Kustantaja
American Physical Society
Volyymi
54
Numero
23
Sivut
16676-16682
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Kokonaan avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1103/PhysRevB.54.16676
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä