White beam synchrotron x-ray topography and x-ray diffraction measurements of epitaxial lateral overgrowth of GaN
Julkaisuvuosi
2002
Tekijät
Chen, W.M.; McNally, P.J.; Jacobs, K.; Tuomi, T.; Danilewsky, A.N.; Lowney, D.; Kanatharana, J.; Knuuttila, L.; Riikonen, J.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Materials Research Society Symposia Proceedings
Kustantaja
SPRINGER
Numero
693
Sivut
pp. I3.27.1-I3.27.6
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä