Interfacial oxide growth in silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO<sub>2</sub> interface
Julkaisuvuosi
2006
Tekijät
Hakala, M. H.; Foster, A. S.; Gavartin, J.L.; Havu, P.; Puska, M. J.; Nieminen, R. M.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Journal of Applied Physics
Kustantaja
American Institute of Physics
Volyymi
100
Numero
4
Artikkelinumero
043708
Sivut
1-7
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Kokonaan avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1063/1.2259792
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä