X-ray topography studies of dislocation distributions in Si during rapid thermal diffusion
Julkaisuvuosi
2000
Tekijät
Lowney, D.; McNally, P.; Nolan, M.; Perova, T.; Tuomi, T.; Rantamäki, R.; Danilewsky, A.N.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Erillisteos
Yleisö
Ammatillinen
OKM:n julkaisutyyppiluokitus
D4 Julkaistu kehittämis- tai tutkimusraportti taikka -selvitys
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä