Structural, electrical and optical properties of defects in Si-doped GaN grown by molecular beam epitaxy on HVPE GaN
Julkaisuvuosi
2002
Tekijät
Laukkanen, P.; Lehkonen, S.; Uusimaa, P.; Pessa, M.; Oila, J.; Hautakangas, S.; Saarinen, K.; Likonen, J.; Keränen, J.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Journal of Applied Physics
Kustantaja
American Institute of Physics
Volyymi
92
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä