Rapid Thermal Annealing of Si(1-x)Ge(x) Layers Formed by Germanium Ion Implantation
Julkaisuvuosi
1994
Tekijät
Xia, Z.; Saarilahti, J.; Ronkainen, H.; Eränen, S.; Suni, I.; Molarius, J.; Kuivalainen, P.; Ristolainen, E.; Tuomi, T.
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Kuivalainen Pekka
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Nuclear Instruments and Methods
Numero
B 88
Sivut
247-254
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä