On the formation of vacancy defects in III-nitride semiconductors

Julkaisuvuosi

2012

Tekijät

Tuomisto, F.; Mäki, J.-M.; Rauch, C.; Makkonen, I.

Organisaatiot ja tekijät

Aalto-yliopisto

Rauch Christian

Tuomisto Filip

Makkonen Ilja

Mäki Jussi-Matti

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli:

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Lehti/Sarja

Journal of Crystal Growth

Kustantaja

Elsevier

Volyymi

350

Numero

Sivut

93-97

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Rinnakkaistallennettu

Muut tiedot

Tieteenalat

Fysiikka; Kone- ja valmistustekniikka; Ympäristötekniikka; Nanoteknologia

Avainsanat

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

DOI

10.1016/j.jcrysgro.2011.12.031

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä