Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge
Julkaisuvuosi
2009
Tekijät
Lankinen, A.; Knuuttila, L.; Kostamo, P.; Tuomi, T.O.; Lipsanen, H.; McNally, P.J.; "O'Reilly", L.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Journal of Crystal Growth
Kustantaja
Elsevier
Volyymi
311
Numero
22
Sivut
4619-4627
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Kemia; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka; Materiaalitekniikka; Nanoteknologia; Lääketieteen bioteknologia
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Kyllä
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2009.08.032
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä