Polarity dependent properties of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on GaN bulk crystals
Julkaisuvuosi
2003
Tekijät
Tuomisto, F.; Suski, T.; Teisseyre, H.; Krysko, M.; Leszczynski, M.; Lucznik, B.; Grzegory, I.; Porowski, S.; Wasik, D.; Witowski, A.; Gebicki, W.; Hageman, P.; Saarinen, K.
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Tuomisto Filip 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Kustantaja
Volyymi
240
Numero
2
Sivut
289-292
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1002/pssb.200303259
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä