The Effect of Oxygenation on the Radiation Hardness of Silicon Studied by Surface Photovoltage Method
Julkaisuvuosi
2002
Tekijät
Yli-Koski, Marko; Härkönen, Jaakko; Tuominen, Eija; Lassila-Perini, Kati; Mehtälä, P.; Nummela, Saara; Nysten, J.; Heikkilä, Paula; Ovchinnikov, Victor; Palokangas, Martti; Palmu, Leena; Kallijärvi, S.; Alanko, Tommi; Laitinen, Pauli; Pirojenko, A; Riihimäki, I.; Tiourine, G.; Virtanen, Ari
Näytä enemmänOrganisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
IEEE Transactions on Nuclear Science
Kustantaja
IEEE
Volyymi
49
Numero
6
Sivut
2910-2913
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä