The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta2O5-TiO2-Based Metal-Insulator-Metal (MIM) Devices for Memory Applications
Julkaisuvuosi
2018
Tekijät
Duenas, S.; Castan, H.; Garcia, H.; Ossorio, O. G.; Dominguez, L. A.; Seemen, H.; Tamm, A.; Kukli, K.; Aarik, J.
Organisaatiot ja tekijät
Helsingin yliopisto
Kukli K.
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Emojulkaisun nimi
Volyymi
47
Numero
9
Sivut
4938-4943
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Kemia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Yhdysvallat (USA)
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1007/s11664-018-6105-0
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä