Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2:Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications
Julkaisuvuosi
2018
Tekijät
Castán, H.; Dueñas, S.; Kukli, K.; Kemell, M.; Ritala, M.; Leskelä, M.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Konferenssi
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussaJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Emojulkaisun nimi
Konferenssi
Volyymi
85
Numero
8
Sivut
143-148
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Kemia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Yhdysvallat (USA)
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1149/08508.0143ecst
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä