Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices
Julkaisuvuosi
2017
Tekijät
Duenas, S.; Castan, H.; Ossorio, O. G.; Dominguez, L. A.; Gracia, H.; Kalam, K.; Kukli, K.; Ritala, M.; Leskelä, M.
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Konferenssi
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussaJulkaisukanavan tiedot
Emojulkaisun nimi
2017 32ND CONFERENCE ON DESIGN OF CIRCUITS AND INTEGRATED SYSTEMS (DCIS)
Kustantaja
ISBN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Kemia
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Yhdysvallat (USA)
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1109/DCIS.2017.8311627
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä