undefined

< Takaisin hakutuloksiin

Charge collection efficiency degradation induced by MeV ions in semiconductor devices:Model and experiment

Julkaisuvuosi

2016

Tekijät

Vittone, E.; Pastuovic, Z.; Breese, M. B. H.; Garcia Lopez, J.; Jaksic, M.; Räisänen, J.; Siegele, R.; Simon, A.; Vizkelethy, G.

Organisaatiot ja tekijät

Helsingin yliopisto

Räisänen J.

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Lehti

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Emojulkaisun nimi

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Volyymi

372

Sivut

128-142

ISSN

0168-583X

Julkaisu­foorumi

64245

Julkaisufoorumitaso

1

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Ei

Rinnakkaistallennettu

Ei

Muut tiedot

Tieteenalat

Fysiikka

Avainsanat

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Julkaisumaa

Alankomaat

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Kyllä

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1016/j.nimb.2016.01.030

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä