< Takaisin hakutuloksiin

Design of high-performance E-band SPDT switch and LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology

Julkaisuvuosi

2017

Tekijät

Ahamed, Raju; Varonen, Mikko; Parveg, Dristy; Saijets, Jan; Halonen, Kari A.I.

Organisaatiot ja tekijät

Aalto-yliopisto

Parveg Dristy

Halonen Kari

Ahamed Raju

Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy

Saijets Jan

Varonen Mikko

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Konferenssi

Artikkelin tyyppi

Muu artikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

Julkaisukanavan tiedot

Emojulkaisun nimi

2017 IEEE Nordic Circuits and Systems Conference, NORCAS 2017: NORCHIP and International Symposium of System-on-Chip, SoC 2017, Proceedings

Konferenssi

IEEE Nordic Circuits and Systems Conference

Kustantaja

ISBN

978-1-5386-2844-7

Julkaisufoorumi

Julkaisufoorumitaso

1

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Ei

Rinnakkaistallennettu

Kyllä

Muut tiedot

Tieteenalat

Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka

Avainsanat

BiCMOS; heterojunction bipolar transistor (HBT); LNA; millimeter-wave; MMIC; reverse-saturation; SiGe; SPDT; transformer balun

Kustantajan kansainvälisyys

Kansainvälinen

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Ei

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1109/NORCHIP.2017.8124975

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Kyllä