High-<i>k</i> GaAs metal insulator semiconductor capacitors passivated by <i>ex-situ </i>plasma-enhanced atomic layer deposited AlN for Fermi-level unpinning
Julkaisuvuosi
2012
Tekijät
Jussila, Henri; Mattila, Päivi; Oksanen, Jani; Perros, Alexander; Riikonen, Juha; Bosund, Markus; Varpula, Aapo; Huhtio, Teppo; Lipsanen, Harri; Sopanen, Markku
Organisaatiot ja tekijät
Aalto-yliopisto
Perros Alexander 
Lipsanen Harri
Jussila Henri
Oksanen Jani
Riikonen Juha
Sopanen Markku
Mattila Päivi
Huhtio Teppo
Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy
Varpula Aapo
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Volyymi
100
Numero
7
Artikkelinumero
071606
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
2
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Kyllä
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Kokonaan avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka; Kemia; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka; Materiaalitekniikka; Nanoteknologia; Lääketieteen bioteknologia
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Kyllä
DOI
10.1063/1.3687199
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä