Degradation of the charge collection efficiency of an n-type Fz silicon diode subjected to MeV proton irradiation
Julkaisuvuosi
2015
Tekijät
Barbero, Nicolo; Forneris, Jacopo; Grilj, Veljko; Jaksic, Milko; Raisanen, Jyrki; Simon, Aliz; Skukan, Natko; Vittone, Ettore
Organisaatiot ja tekijät
Helsingin yliopisto
Raisanen Jyrki
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Konferenssi
Artikkelin tyyppi
Muu artikkeli:
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A4 Artikkeli konferenssijulkaisussaJulkaisukanavan tiedot
Lehti/Sarja
Emojulkaisun nimi
Volyymi
348
Sivut
260-264
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei tietoa
Rinnakkaistallennettu
Ei tietoa
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka
Julkaisumaa
Italia
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei tietoa
DOI
10.1016/j.nimb.2014.11.019
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä