Nucleation and Growth of the HfO2 Dielectric Layer for Graphene-Based Devices
Julkaisuvuosi
2015
Tekijät
Oh Il-Kwon, Tanskanen Jukka, Jung Hanearl, Kim Kangsik, Lee Mi Jin, Lee Zonghoon, Lee Seoung-Ki, Lee Jong-Hyun, Lee Chang Wan, Kim Kwanpyo, Kim Hyungjun, Lee Han-Bo-Ram
Organisaatiot ja tekijät
Itä-Suomen yliopisto
Tanskanen Jukka
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Volyymi
27
Numero
17
Sivut
5868-5877
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
3
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei tietoa
Rinnakkaistallennettu
Ei tietoa
Muut tiedot
Tieteenalat
Kemia
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei tietoa
DOI
10.1021/acs.chemmater.5b01226
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä