JYFL-ACCLAB-RADEF_2024-03 Temperature dependence of heavy ion radiation sensitivity of 2nd gen SiC power MOSFETs

Kuvaus

This dataset contains data of Xe-126 irradiation tests of 2nd gen. SiC MOSFETs (CPM2-1200-0080B) at different temperatures. Temperature dependence of leakage current degradation was observed.

Näytä enemmän

Julkaisuvuosi

2024

Aineiston tyyppi

Tekijät

Eidgenössische Technische Hochschule Zürich

Martinella, Corinna - Tekijä

Jyväskylän yliopisto - Oikeuksienhaltija, Julkaisija

Fysiikan laitos

Jaatinen, Jukka - Muu tekijä

Rossi, Mikko - Muu tekijä

Javanainen, Arto - Tekijä

Kettunen, Heikki - Tekijä

Niskanen, Kimmo - Tekijä

Vanderbilt University

Harris, Phoenix - Tekijä

Sengupta, Arijit - Tekijä

Witulski, Arthur - Tekijä

Projekti

Muut tiedot

Tieteenalat

Fysiikka; Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka

Kieli

englanti

Saatavuus

Embargo

Lisenssi

Creative Commons Nimeä 4.0 Kansainvälinen (CC BY 4.0)

Avainsanat

heavy ion irradiation, silicon carbide

Asiasanat

ionisoiva säteily, tehoelektroniikka

Ajallinen kattavuus

undefined