Näytetään tulokset 1 - 10 / 89
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

Fabrication of Nanostructures using MBE and MOVPE

Vertaisarvioitu
DOI
10.1088/0031-8949/1994/T54/059
Ahopelto, J.; Lipsanen, H.; Sopanen, M.; Koljonen, Timo; Tuomi, T.; Airaksinen, V.M.; Sinkkonen, Juh...
Physica Scripta1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Sulphur doping of GaSb grown by atmospheric pressure MOVPE

Vertaisarvioitu
Novak, J.; Hasenöhrl, S.; Kucera, M.; Hjelt, K.; Tuomi, T.
Journal of Crystal Growth1998 Julkaisujen tiedon ikoni

MOVPE growth of GaInAsSb using tertiarybutylarsine as arsenic source

Sopanen, M.; Koljonen, T.; Lipsanen, H.
-1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Growth of InGaSb and GaSb on GaSb substrates by atmospheric pressure MOVPE

Sopanen, M.; Koljonen, T.; Lipsanen, H.; Hjelt, K.
-1994 Julkaisujen tiedon ikoni

MOVPE growth of GaN on patterned 6-inch Si wafer

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/2399-6528/ab885c
Kim, Iurii; Holmi, Joonas; Raju, Ramesh; Haapalinna, Atte; Suihkonen, Sami
Journal of Physics Communications2020 Julkaisujen tiedon ikoni

X-ray diffraction study of GaSb on GaAs grown by MOVPE

Lipsanen, H.; Koljonen, T.; Sopanen, M.; Tuomi, T.
-1994 Julkaisujen tiedon ikoni

MOVPE growth of GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs and InGaAsP using all-organometallic sources

Sopanen, M.; Lipsanen, H.; Koljonen, T.; Ahopelto, J.; Taskinen, M.
-1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Ga(In)NAs growth parameter optimization with low-pressure and atmospheric-pressure MOVPE systems

Vertaisarvioitu
Reentilä, Outi; Mattila, Marco; Toivonen, Juha; Hakkarainen, Teppo; Sopanen, Markku; Lipsanen, Harri
-2004 Julkaisujen tiedon ikoni

Study of composition control and capping of MOVPE grown InGaN/InxAlyGa1-x-yN MQW structures

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssc.200779233
Ali, Muhammad; Suihkonen, Sami; Svensk, Olli; Törmä, Pekka; Sopanen, Markku; Lipsanen, Harri; Odnobl...
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS2008 Julkaisujen tiedon ikoni

Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Auassisted MOVPE

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2010.02.010
Bouravleuv, A.D.; Sibirev, N.V.; Statkute, G.; Cirlin, G.E.; Lipsanen, H.; Duborovskii, V.G.
Journal of Crystal Growth2010

Fabrication of Nanostructures using MBE and MOVPE

Vertaisarvioitu
DOI
10.1088/0031-8949/1994/T54/059
1994

Sulphur doping of GaSb grown by atmospheric pressure MOVPE

Vertaisarvioitu
1998

MOVPE growth of GaInAsSb using tertiarybutylarsine as arsenic source

1994

Growth of InGaSb and GaSb on GaSb substrates by atmospheric pressure MOVPE

1994

MOVPE growth of GaN on patterned 6-inch Si wafer

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/2399-6528/ab885c
2020

X-ray diffraction study of GaSb on GaAs grown by MOVPE

1994

MOVPE growth of GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs and InGaAsP using all-organometallic sources

1994

Ga(In)NAs growth parameter optimization with low-pressure and atmospheric-pressure MOVPE systems

Vertaisarvioitu
2004

Study of composition control and capping of MOVPE grown InGaN/InxAlyGa1-x-yN MQW structures

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssc.200779233
2008

Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Auassisted MOVPE

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2010.02.010
2010