Näytetään tulokset 1 - 10 / 216
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

Anisotropic defect structure of indium gallium phoshide on gallium arsenide

Riikonen, J.; Tuomi, T.; Knuuttila, L.; Hasennöhrl, S.; McNally, P.J.
-2004 Julkaisujen tiedon ikoni

Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy

Vertaisarvioitu
Nieminen, M.; Niinistö, L.; Rauhala, E.
Journal of Materials Chemistry1996 Julkaisujen tiedon ikoni

Light-induced degradation in copper-contaminated gallium-doped silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/pssr.201307011
Lindroos, Jeanette; Yli-Koski, Marko; Haarahiltunen, Antti; Schubert, Martin C.; Savin, Hele
PHYSICA STATUS SOLIDI: RAPID RESEARCH LETTERS2013 Julkaisujen tiedon ikoni

Europium diffusion in ammonothermal gallium nitride

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.apsusc.2023.157188
Jaroszynska, A.; Grzanka, E.; Grabowski, M.; Staszczak, G.; Prozheev, I.; Jakiela, R.; Tuomisto, F.;...
Applied Surface Science2023 Julkaisujen tiedon ikoni

Boron doping in gallium oxide from first principles

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/2399-6528/abcd74
Lehtomäki, Jouko; Li, Jingrui; Rinke, Patrick
Journal of Physics Communications2020 Julkaisujen tiedon ikoni

Epitaxial lateral overgrowth of gallium arsenide studied by synchrotron topography

Vertaisarvioitu
Rantamäki, R.; Tuomi, T.; Zytkiewicz, Z.R.; Dobosz, D.; McNally, P.J.; Danilewsky, A.N.
Materials Research Society Symposia Proceedings1999 Julkaisujen tiedon ikoni

Low energy electron beam induced damage on gallium nitride based materials

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssc.201100551
Nykänen, Henri; Mattila, Päivi; Suihkonen, Sami; Riikonen, Juha; Sopanen, Markku
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS2012 Julkaisujen tiedon ikoni

Epitaxial lateral overgrowth of gallium arsenide studied by synchrotron topography

Rantamäki, R.; Tuomi, T.; Zytkiewicz, Z.R.; Dobosz, D.; McNally, P.J.; Danilewsky, A.N.
-1999 Julkaisujen tiedon ikoni

Epitaxial lateral overgrowth of gallium arsenide studied by synchrotron topography

Rantamäki, R.; Tuomi, T.; Zytkiewicz, Z.R.; Dobosz, D.; McNally, P.J.; Danilewsky, A.N.
-1999 Julkaisujen tiedon ikoni

Molecular Complexes Featuring Unsupported Dispersion-Enhanced Aluminum–Copper and Gallium–Copper Bonds

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1021/jacs.0c10099
Mears, Kristian L.; Stennett, Cary R.; Taskinen, Elina K.; Knapp, Caroline E.; Carmalt, Claire J.; T...
Journal of the American Chemical Society2020

Anisotropic defect structure of indium gallium phoshide on gallium arsenide

2004

Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy

Vertaisarvioitu
1996

Light-induced degradation in copper-contaminated gallium-doped silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/pssr.201307011
2013

Europium diffusion in ammonothermal gallium nitride

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.apsusc.2023.157188
2023

Boron doping in gallium oxide from first principles

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/2399-6528/abcd74
2020

Epitaxial lateral overgrowth of gallium arsenide studied by synchrotron topography

Vertaisarvioitu
1999

Low energy electron beam induced damage on gallium nitride based materials

Vertaisarvioitu
DOI
10.1002/pssc.201100551
2012

Epitaxial lateral overgrowth of gallium arsenide studied by synchrotron topography

1999

Epitaxial lateral overgrowth of gallium arsenide studied by synchrotron topography

1999

Molecular Complexes Featuring Unsupported Dispersion-Enhanced Aluminum–Copper and Gallium–Copper Bonds

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1021/jacs.0c10099
2020